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Número de canais: 1 Channel Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V Id - Corrente de drenagem contínua: 80 A Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 15 mOhms Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V Tensão de limite porta e fonte: 1.8 V Qg - Carga na porta: 81 nC Temperatura operacional mínima: - 55 C Temperatura operacional máxima: + 175 C Pd - Dissipação de potência: 260 W Modo de canal: Enhancement Embalagem: Tube Configuração: Single Altura: 15.65 mm Comprimento: 10 mm Tipo de transistor: 1 N-Channel Largura: 4.4 mm Marca: Infineon / IR Tipo de Produto: MOSFET Quantidade do pacote Subcategoria: MOSFETs Peso unitário: 6 g
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30 DIAS
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